近日，中国长城旗下郑州轨道交通信息技术研究院（以下简称“郑州轨交院”）在研制半导体激光隐形晶圆切割设备的经验和基础上，推出了支持超薄晶圆全切工艺的全自动12寸晶圆激光开槽设备。

  CGT中国长城消息显示，该设备除了具备常规激光开槽功能之外，还支持5nm DBG工艺、120微米以下超薄wafer全切割功能、晶圆厂IGBT工艺端相关制程和TAIKO超薄环切等各种高精端工艺。

  此外，该设备是采用的模块化设计，可支持不同脉宽（纳秒、皮秒、飞秒）激光器。自主研发的光学系统，可实现光斑宽度及长度连续可调，配合超高精度运动控制平台等技术，解决了激光隐切设备对表面材质、厚度、晶向、电阻率的限制，实现了工艺的全兼容，对有效控制产品破损率、提高芯片良率有着极大帮助。

  关键字：晶圆编辑：北极风 引用地址：中国长城旗下郑州轨交院推出全自动12寸晶圆激光开槽设备

  据中国台湾经济日报报道，环球晶圆（GlobalWafers）收购德国晶圆制造商世创（Siltronic）的交易，因未能在 1 月 31 日截止期限前获得德国监督管理的机构批准而告终。 环球晶圆表示，将于 2022 年至 2024 年投入千亿元新台币的资本支出，这中间还包括扩建新厂。环球晶圆董事长徐秀兰指出，即使公开收购世创一案未果，他们在事前已规划双轨策略。 IT之家了解到，环球晶圆提到，将考虑进行多项现有厂区及新厂扩产计划，包含 12 寸晶圆与磊晶、8 寸与 12 寸 SOI、8 寸 FZ、SiC 晶圆（含 SiC Epi）、GaN on Si 等大尺寸次世代产品。 报道称，扩产计划涵盖亚洲、欧洲和美国地区的投资，总投资金额最

  在9月初Semicon Taiwan举办的“450mm供应链”研讨会中，台积电和G450C(全球450联盟)明确揭示了18寸晶圆预计于2018年投入量产的发展时程。相对于台积电的信心满满，包括TEL(东京威力科创)、Lam Research、应用材料和KLA-Tencor等设备制造商，却都异口同声地谈到，设备业者所面临的严峻开发成本与风险挑战。 附图 : BigPic:450x675 G450C的18寸晶圆量产时程 G450C (Global 450 Consortium) 是由英特尔、三星、台积电、IBM和GlobalFoundries五家龙头业者于去年共组的18寸晶圆研发联盟，在这些业者的积极推动下，18

  去年9月份，全球5大晶圆生产企业之一的SK Siltron决定，以4.5亿美元（约合5400亿韩元）的投资额收购美国化工企业杜邦的晶圆部门。3月2日，该公司表示，上月29日已完成该项收购案。 据悉，这是SK（株式会社）在2017年1月从LG（株式会社）手中收购前LG Siltron之后，第一次展开的大规模并购（M&A）。 SK Siltron对此表示：“SiC晶片每年预计会有两位数以上的高增长。将杜邦拥有的研发、生产能力和本公司主要事业之间的协同效应最大化，进而来确保（SK）新的增长动能”。 与此同时，SK Siltron也宣布，该项收购案后将接着来进行相关技术投资。 此前，SK Siltron有关人员就指出：“这次并购旨在响应

  集微网消息，随着如大陆与韩国等地持续对晶圆厂设备做投资，预计全球晶圆厂设备支出将会出现自1990年代中期以来，首次连续3年(2016~2018年)成长荣景。此外，2018年大陆地区支出将会超越台湾，成为仅次于韩国的全球第二大市场。 根据国际半导体设备材料产业协会（SEMI）最新预估，2016~2018年全球晶圆设备支出将会分别年增11%、15%与8%。2017年全球支出将达462亿美元，2018年则会成长到498亿美元。 此外，预计将在2017年来安装的282处晶圆设备中，有11处设备支出会超过10亿美元，而在2018年计划安装的270处设备中，也有12处设备支出会超过10亿美元。 资料显示，各地晶圆设备支出主要是用在于制造3

  大陆的半导体厂在未来2～3年内将陆续完工投产，成为半导体硅晶圆的最大需求来源。半导体硅晶圆大厂台胜科昨（23）日评估，以去年（2017）作为基础来看，预计到了2020年市场需求将会大幅成长35％，而今年度的硅晶圆报价将成长两位数以上，明年还要继续向上。 台胜科发言人赵荣祥指出，今年第一季的12吋硅晶圆需求大于供给，尽管智能型手机品牌有库存调整，但客户下单力道并未减缓。至于8吋硅晶圆在电源、驱动、传感器和车用等带动下，需求同样强劲，各尺寸产品价格都有回升。展望第二季，目前看来的报价则是持平，第三、四季持续向上，全年回升两位数以上，明年度供需仍相当健康，价格还有回升空间。 台胜科表示，将会视市场状况审慎评估扩产的事宜，目前的重

  韩国半导体大厂SK海力士(SK Hynix)宣布成立“SK海力士系统IC公司”专注于晶圆代工事业，供应链透露，为了展示扩大晶圆代工布局的雄心，SK海力士日前才与台系矽智财供应商力旺签下一纸2年新台币1.8亿元（约395万美元）的嵌入式非挥发性存储器(eNVM)合约，未来将抢食面板驱动IC、电源管理IC(PMIC)、影像传感器CMOS Sensor商机！   SK海力士(SK Hynix)与三星电子(Samsung Electronics)已经联手几近垄断全球DRAM和NAND Flash存储器产业，但两家半导体大厂不约而同扩大晶圆代工的布局，这方面三星当然是跑的快一些，已确定进入10/7纳米与台积电、英特尔(Intel)一争高下，而

  根据IC Insights的统计报告，2009至2011三年间，由于经济效益或产能问题，40余个8英寸及以下的晶圆厂被关停并转，或者升级改造。 IC Insights报告数据显示，2009年至今3年间共关停49个晶圆厂，其中21个6寸，13个8寸，7个5寸厂，3家4寸厂以及5个12寸厂。 按地域来分，日本及北美各关停17家，欧洲关停12家，韩国关停3家。奇梦达维吉尼亚州12寸晶圆厂。 IC Insights预计，未来几年内，晶圆厂将继续关停， 毕竟不少企业已坚决向轻晶圆或者无晶圆企业转型。

  厂关停并转 /

  【赛迪网讯】3月12日消息，英特尔日前表示，公司已开始450毫米晶圆基片上的微处理器设计的规划。 据站报道，英特尔资深技术架构师帕罗-加吉尼表示，使用45纳米工艺生产晶片的技术预计到2007年底开始投入应用。加吉尼在因特尔开发者论坛上表示，有关半导体业采用更大规模晶圆的规划预计在2006年--2007年间进行，在2008年部分厂商真正 投产。他同时表示，估计只有25%的半导体厂商可能转向12英寸晶圆基片。 英特尔将于今年年中做出有关45纳米工艺规划的最后决策，并选择相应的设备。对于32纳米工艺，英特尔按计划将于2007年底做最后决定。加吉尼表示，英特尔一直在积极尝试

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  直播已结束【ST 宽禁带高性能碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）产品技术及不同应用案例分享】（9:30入场）

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